Resitive RAM umjesto flash memorije

Nije ti to ekran lol

 

Pojasni malo ako nije problem.

Ako je sve ovo istina, na pragu smo najvećeg napretka ikad unutar jedne tehnološke kategorije

U osnovi DRAM (SD, DDR) kao i FLASH, EEPROM i EPROM su kapacitivni. Da pojasnim, DRAM ima kondenzatore u kojima drzi upisane informacije. Znaci kada upisemo 1 tada se napon drzi u kondenzatoru (kondenzator se nabije). Kako izolatori (SiO2) nisu idealni napon curi iz kondenzatora i nakon nekog vremena opadne ispod nekog minimuma. Ta vremena su reda 10mS. Radi toga DRAM zahtjeva refresh, tj obnavljanje napona u kondovima. Na PCu refresh uzima nekih 1% vremena jer dok se vrsi refresh pristup memoriji je onemogucen. Refresh je sastavni dio DRAMa i jedino je potrebno pozivati sekvencijalno adrese.
FLASH i razne vrste EPROMa takodje koriste "kondenzatore". U njihovom slucaju kondenzatori nisu nikako spojeni sa ostatkom vec su u potpunosti izolirani, tzv floating gate (plivajuca vrata). Rade na kvantnom principu tuneliranja naboja kroz izolator. Zamislite kada vam voda udje pod masku, pod tlakom udje, ali poslije ne izlazi dok ne primjenite suprotni tlak.. Kod tog tipa u celije se upisuju 0, a brisanje postavlja na 1. Problem je sto se brisanjem ne pobrise sve. Kod FLASHa je to cca 10-100000 puta, a kod EPROMa reda milijon puta.
Idealne neizbrisive memorije su FeroRAM (FRAM). Doslovce se radi o RAMu (brzine upisa ispod mikrosekunde) koji pamti kad nema struje. Broj brisanja je 10E16 puta, prakticki neogranicno. Problem je mali kapacitet (8-16 megabita) i cijena (2Mbit cca 30Eur). Rade na principu feroelektriciteta (slicno feromagnetizmu).