Samsung krenuo s masovnom proizvodnjom 10-nanometarskih čipova
Samsung je započeo s masovnom proizvodnjom čipova baziranih na drugoj generaciji 10-nanometskog FinFET proizvodnog procesa
Samsung je započeo s masovnom proizvodnjom čipova baziranih na drugoj generaciji 10-nanometarskog FinFET proizvodnog procesa (u svojem S3 postrojenju u Južnoj Koreji). U odnosu na prvu generaciju iste tehnologije, druga generacija nudi 10% veće performanse i 15% manju potrošnju energije.
Pokretanje masovne proizvodnje čipova u ovom trenutku znači da će oni biti spremni za ugradnju u pametne telefone koji će se na tržištu pojaviti početkom iduće godine. Konkretno, prvi čipovi bazirani na ovoj tehnologiji trebali bi biti Samsungovi vlastiti Exynos čipovi, kao i Qualcommovi Snapdragon 670 čipovi.
Samsung nastavlja s razvojem tehnologije te u budućnosti planira predstaviti čipove bazirane na 8-nanometarskoj LPP tehnologiji, a kasnije i 7-nanometarske FinFet čipove bazirane na EUV tehnologiji.