Galaxy S12 mogao bi imati 3nm Exynos čip, koji bi trebao trošiti znatno manje energije
Tijekom Samsung Foundry Forum 2019 događaja, Samsung se osvrnuo na buduće čipove koji će biti proizvedeni u 3-nanometarskom GAA procesu, a koji će uz veće performanse donijeti i veliku uštedu energije
Samsung je na ovogodišnjem Samsung Foundry Forum 2019 događaju dio vremena posvetio i budućim procesorima koji će se u idućim godinama naći u njegovim mobilnim uređajima. Glavna odlika bit će im znatno manje dimenzije, veće performanse i osjetno manja potrošnja energije.
Novi čipovi će biti proizvedeni u 3-nanometarskom procesu naziva Gate All Around – GAA. Osim što će novi čip biti za 45% manji od aktualnih 7-nanometarskih čipova, bit će ujedno i 35% brži te 50% štedljiviji po pitanju potrošnje baterije.
Samsung navodi kako je po pitanju proizvodnje čipova u 3-nanometraskom procesu ispred konkurencije, točnije oko 12 mjeseci ispred TSMC-a i oko dvije do tri godine ispred Intela. Novi čip koristiti će se u različitim mobilnim uređajima, uključujući mobitele i tablete.
Samsung navodi kako će 3-nanometarski čip biti testiran tijekom iduće, 2020. godine, dok bi u masovnu proizvodnju trebao krenuti 2021. godine. Dodatna poboljšanja uključujući i AI čipove za dana centre uslijedit će godinu dana kasnije – 2022. Ako sve prođe u najboljem redu, realno je za očekivati kako će i Galaxy S12 serija biti opremljena 3-nanometarskim čipom.
Osim većih performansi, uređaji temeljeni na ovom čipu mogli bi biti i tanji, a zadržati autonomiju uređaja u rangu s aktualnom serijom, Galaxy S10. Dakako, ako bi Samsung odlučio zadržati postojeću debljinu uređaja i za buduće modele, to bi mu omogućilo povećavanje autonomije uređaja za već spomenutih 50%.
