Samsungov eUFS 3.0 čip od prethodnika je više nego dvostruko brži
Samsung je objavio kako je krenuo u masovnu proizvodnju prvog industrijskog 512-gigabajtnog flash čipa za telefone, a koji je od prethodnika i više nego dvostruko brži
Samsung je na službenim internetskim stranicama objavio kako je pokrenuo masovnu proizvodnju prvog industrijskog flash čipa kapaciteta 512 GB. Novi eUFS 3.0 čip odlikuje se između ostalog i više nego dvostruko većom brzinom čitanja i zapisivanja podataka u odnosu na prethodni model.
Prvi takav čip Samsung je predstavio još 2017. godine, podatke je čitao brzinom od 860 MB/s dok je nove zapisivao pri 255 MB/s. Novi model po pitanju brzine osjetno je prešao svog prethodnika, novi model podatke čita brzinom od 2.100 MB/s, a zapisuje ih brzinom od 410 MB/s.
Proizvođač navodi kako ovo skladišno rješenje za pohranu podataka koristi petu generaciju V-NAND memorije i kako brzinom nadmašuje microSD kartice i do 20 puta, a standardne SATA SSD-ove četiri puta. Samsung ovaj čip vidi u budućim mobitelima koji će imati dugačke zaslone ultra visoke razlučivosti.
Za sada će biti dostupni 128 GB i 512 GB modeli, dok su za drugu polovinu godine Samsung ima u planu i modele od 256 GB i 1 TB.
