Bosch želi učinkovitijim čipovima povećati doseg električnih vozila

Njemački proizvođač elektronike i širokog raspona automobilskih dijelova smatra da bi izradom čipova od silicijevog karbida mogao električnim automobilima povećati domet

Sandro Vrbanus utorak, 8. listopada 2019. u 07:00

Njemački proizvođač tehnoloških rješenja u mnogo područja, među ostalim i jedan od najvećih dobavljača u autoindustriji, Robert Bosch GmbH, najavio je kako će početi proizvoditi poluvodičke čipove od silicijevog karbida.

Prelazak s "čistog" silicija na ovaj materijal bolje električne vodljivosti trebao bi poboljšati učinkovitost čipova. Samim time frekvencije na kojima isti rade mogle bi biti više uz manje zagrijavanje, što bi se najviše pozitivno odrazilo na industriju električnih automobila.

6% više autonomije

"Poluvodiči od silicijevog karbida donijet će više energije električnim vozilima. Za vozače to će značiti povećanje dosega od 6%", izjavio je član uprave Boscha Harald Kroeger, a prenosi Reuters. Novu vrstu poluvodičkih čipova Bosch planira proizvoditi u svojoj tvornici u Reutlingenu blizu Stuttgarta.

Smanjenjem količine energije koja se troši u čipovima i navodnim povećanjem dostupne energije za pogonski sustav Bosch želi pripomoći vozačima električnih vozila izbjeći osjećaj tzv. nervoze zbog dosega (range anxiety), ali i olakšati odluku onima koji upravo zbog straha od malene autonomije ne žele prijeći s vozila na fosilna goriva na ona s električnim pogonom.

Silicijev karbid

Silicijev karbid (SiC) ili karborund (što mu je komercijalno ime), je kristalna tvar sa strukturom sličnom dijamantnoj, vrlo velike tvrdoće, poluvodičkih svojstava, velike toplinske i kemijske otpornosti. Među ostalim u današnje vrijeme koristi se za izradu brusnih ploča i u drugim primjenama gdje djeluje kao abraziv, te kao vatrostalni materijal. U autoindustriji ovaj je materijal do sada, primjerice, korišten u izradi visokoučinkovitih keramičkih kočnica.

Komercijalno se proizvodi od 1893. godine, dobiva se reakcijom kremenog pijeska i koksa u elektrolučnim pećima pri temperaturama 1900-2000°C, a u industriji elektronike poznat je po tome što su na njemu bile zasnovane prve LE-diode proizvedene 1907. godine.