Infineon u Austriji proizveo prvi 300-milimetarski wafer zasnovan na galijevom nitridu
Galijev nitrid, po nekima tehnološki materijal budućnosti, trebao bi s vremenom dosegnuti cjenovni paritet sa silicijem u proizvodnji čipova, u čemu je prelazak na veće "wafere" jedan od ključnih koraka
Njemačka tehnološka kompanija Infineon Technologies u svojem je pogonu u austrijskom Villachu nedavno proizvela prvi u svijetu 300-milimetarski wafer zasnovan na galijevom nitridu. To postignuće definira ih kao predvodnike u GaN tehnologiji, kad je riječ o proizvodnji čipova, jer će im ono omogućiti smjestiti značajno više poluvodiča na jednu takvu podlogu, što pak olakšava skaliranje proizvodnje do masovnih, industrijskih razmjera.
GaN revolucija
Infineon svojom tehnologijom planira pokrenuti potražnju za GaN poluvodičima te ubrzati njihovu primjenu u automobilskoj, industrijskoj te računalnoj i komunikacijskoj tehnologiji. Poluvodiči zasnovani na galijevom nitridu mogli bi, prema njima, biti ključni za razvoj AI sustava, pretvarača (invertera) u solarnim elektranama, a već se uvelike koriste i kod punjača, adaptera i raznih manjih elektroničkih sustava. Poboljšani proizvodni procesi dovest će i do boljih performansi takvih poluvodičkih rješenja, povećanje njihove efikasnosti, smanjenja veličine, mase, ali i cijena.
Prelazak na wafere promjera 300 milimetara korak je i ka većoj stabilnosti opskrbnog lanca, kao i dugoročnom cilju – cjenovnom paritetu između galijevog nitrida i silicija, kad je riječ o proizvodnji poluvodičkih čipova. Infineon kaže i da će im ta promjena omogućiti korištenje postojeće industrijske opreme, namijenjene za rad sa silicijem, koja je odavno prilagođena 300-milimetarskim podlogama.
"Ovaj tehnološki iskorak bit će preokret u industriji i omogućit će nam da otključamo puni potencijal galijevog nitrida. Gotovo godinu dana nakon akvizicije GaN Systemsa, ponovno pokazujemo da smo odlučni biti liderom na brzorastućem GaN tržištu. Kao lider u energetskim sustavima, Infineon vlada sa sva tri relevantna materijala u tom području: silicijem, silicijevim karbidom i galijevim nitridom", poručio je prvi čovjek kompanije, Jochen Hanebeck.
GaN je poluvodič vrlo sličan siliciju, no ističe se manjim električnim otporom u propusnom stanju te većom širinom energijskog procjepa (bandgap). To omogućava manje gubitke u radu, smještanje više GaN tranzistora po jedinici površine u usporedbi sa silicijem, što pak dovodi do manjih i efikasnijih uređaja. Oni k tome mogu raditi pri višim temperaturama, na višim frekvencijama i s većim snagama – pa ne čudi da se već sada koriste u kompaktnim punjačima. Činjenica da su otporniji na ionizirajuće zračenje osigurava im i primjenu u svemirskoj industriji.
