Samsung pokrenuo proizvodnju čipova na 3-nanometarskoj tehnologiji
Optimizirani proces proizvodnje osigurava da čipovi na ovoj tehnologiji troše 45% manje energije, imaju 23% bolje performanse te 16% manju površinu od onih izrađenih na 5 nanometara
Iako je prva kompanija koja je najavljivala svoje 3-nanometarske poluvodiče za ovu godinu bio TSMC, Samsung Electronics je, kako se čini, prestigao svojeg glavnog konkurenta. Ovoga tjedna pohvalili su se kako su počeli s proizvodnjom poluvodičkih čipova temeljenih na 3-nanometarskom procesu i uz korištenje arhitekture Gate-All-Around (GAA).
Brži, manji, efikasniji
Ova tehnologija i nova arhitektura koriste se prvi puta, a značajno će unaprijediti performanse čipova u usporedbi s onima kod čipova nastalih dosadašnjim proizvodnim procesima. Istodobno će novi čipovi trošiti manje energije za rad, dok će za isti broj tranzistora imati i manju površinu. Prvi čipovi koje će proizvesti novim procesom bit će oni namijenjeni za visoke performanse ili za primjene u kojima je ključan rad s minimalnim utroškom energije. Nakon toga, na red će doći i procesori za mobitele.
U usporedbi s poluvodičima nastalima na 5-nanometarskom procesu, koji je već gotovo pa postao standard u industriji, 3-nanometarski proces proizvodnje osigurava smanjenje potrošnje energije za 45%. Performanse čipova trebale bi pritom biti za oko 23% više, a površina samih čipova bit će za 16% manja. Iz Samsunga već najavljuju i drugu generaciju svojih 3-nm poluvodiča, koji će donijeti uštedu energije od čak 50%, poboljšanje performansi od 30% te smanjenje površine za čak 35%.
